INA118PB vs INA118P Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de INA118PB par Texas Instruments et INA118P par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre INA118PB INA118P
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Product Type Precision instrumentation amplifier Precision, low-power instrumentation amplifier
Number of Amplifiers 1 circuit —
Architecture Three-op-amp design Three-op-amp design with current-feedback input circuitry
Maximum Offset Voltage 50 uV —
Maximum Offset Voltage Drift 0.5 uV/°C —
Maximum Input Bias Current 5 nA —
Minimum Common-Mode Rejection 110 dB at G = 1000 —
Maximum Input Voltage ±40 V —
Maximum Supply Voltage ±18 V —
Minimum Single-Supply Voltage 1.35 V —
Minimum Dual-Supply Voltage ±2.25 V —
Courant de repos 350 uA 350 µA
Gain Range 1 to 10,000 1 to 10000
Bandwidth at Gain of 100 70 kHz —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +85°C —
Boîtier 8-pin plastic DIP 8-pin plastic DIP
Type de montage Through-hole Through-hole
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH compliance status] —
Number of Amplifier Circuits — 1 circuit
Offset Voltage — 50 µV maximum
Offset Voltage Drift — 0.5 µV/°C maximum
Common-Mode Rejection Ratio — 110 dB minimum at gain 1000
Input Bias Current — 5 nA maximum
Input Protection — ±40 V
Supply Voltage Range — ±2.25 V to ±18 V
Gain Setting — One external resistor
Bandwidth — 70 kHz at gain 100
Température de fonctionnement — -40°C to +85°C

Fiches techniques et ressources

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