IPB020N10N5LFATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB020N10N5LFATMA1 von Infineon und IAUC120N06S5L011ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB020N10N5LFATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,62 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Marking Code 020N10LF —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Datenblätter & Ressourcen

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