IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB020NE7N3GATMA1 von Infineon und IPB107N20N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB020NE7N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,31 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
Gehäuse PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Pin-Anzahl — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern