IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB020NE7N3GATMA1 por Infineon e IPB107N20N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB020NE7N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,31 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Contagem de pinos — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Fichas técnicas e recursos

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