IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB020NE7N3GATMA1 par Infineon et IPB107N20N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB020NE7N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,31 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | 88 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Nombre de broches | — | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |