IPB027N10N3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB027N10N3GATMA1 von Infineon und BSC070N10NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB027N10N3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,68
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

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