IPB027N10N3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB027N10N3GATMA1 por Infineon e BSC070N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB027N10N3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,68
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Fichas técnicas e recursos

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