IPB027N10N3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB027N10N3GATMA1 par Infineon et BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB027N10N3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,68
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

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