IPB027N10N3GATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB027N10N3GATMA1 von Infineon und IPB038N12N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB027N10N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $1,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 120V
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

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