IPB027N10N3GATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB027N10N3GATMA1 por Infineon e IPB038N12N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB027N10N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $1,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 120V
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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