IPB039N10N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB039N10N3GATMA1 von Infineon und IPB025N10N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB039N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,28 $3,74
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 160 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 214 W —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 3.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd typ] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1 (unlimited)
RoHS / Halogen-Free Status RoHS compliant, halogen-free —
Series / Family OptiMOS 3 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
RoHS-Status — Compliant
Halogenfrei — Yes

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