IPB039N10N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB039N10N3GATMA1 por Infineon e IPB025N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB039N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,28 $3,74
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 160 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 214 W —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 3.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd typ] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1 (unlimited)
RoHS / Halogen-Free Status RoHS compliant, halogen-free —
Series / Family OptiMOS 3 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Status RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação