IPB110P06LMATMA1 vs IRF4905LPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB110P06LMATMA1 von Infineon und IRF4905LPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB110P06LMATMA1 IRF4905LPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,31 $0,98
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (TJ) —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Montageart Surface Mount Through Hole
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Gehäuse — TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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