IPB110P06LMATMA1 vs IRF4905LPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB110P06LMATMA1 par Infineon et IRF4905LPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB110P06LMATMA1 IRF4905LPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,31 $0,98
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Type de montage Surface Mount Through Hole
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Boîtier — TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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