IPB110P06LMATMA1 vs IRF4905LPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB110P06LMATMA1 por Infineon e IRF4905LPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB110P06LMATMA1 IRF4905LPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,31 $0,98
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (TJ) —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Encapsulamento — TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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