IPB120N04S402ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB120N04S402ATMA1 von Infineon und IPC70N04S5L4R2ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB120N04S402ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
MSL-Level — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% (60 A production test)
RoHS-Status — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

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