IPB120N04S402ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB120N04S402ATMA1 par Infineon et IPC70N04S5L4R2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB120N04S402ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Niveau MSL — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% (60 A production test)
Statut RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

Fiches techniques et ressources

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