IPB200N25N3GATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB200N25N3GATMA1 von Infineon und BSC0902NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB200N25N3GATMA1 BSC0902NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +150C (Tj)
RoHS-Status Compliant —
Halogenfrei Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) Yes, per IEC 61249-2-21
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Pin-Anzahl 3 (2+tab) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datenblätter & Ressourcen

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