IPB200N25N3GATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB200N25N3GATMA1 par Infineon et BSC0902NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB200N25N3GATMA1 BSC0902NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +150C (Tj)
Statut RoHS Compliant —
Sans halogène Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) Yes, per IEC 61249-2-21
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Nombre de broches 3 (2+tab) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fiches techniques et ressources

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