IPB200N25N3GATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB200N25N3GATMA1 por Infineon y BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB200N25N3GATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +150C (Tj)
Estado RoHS Compliant —
Sin halógenos Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) Yes, per IEC 61249-2-21
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Recuento de pines 3 (2+tab) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Hojas de datos y recursos

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