IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB35N10S3L26ATMA1 von Infineon und IPP320N20N3GXKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB35N10S3L26ATMA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $1,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS 3
Channel Type N-Channel N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Montageart Surface Mount Through Hole
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Gehäuse — TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Anzahl der Pins — 3 (3 + Tab)
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes
MSL-Level — Not applicable (through-hole)

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