IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB35N10S3L26ATMA1 par Infineon et IPP320N20N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB35N10S3L26ATMA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $1,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS 3
Channel Type N-Channel N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Type de montage Surface Mount Through Hole
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Boîtier — TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Nombre de broches — 3 (3 + Tab)
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — Not applicable (through-hole)

Fiches techniques et ressources

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