IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon e IPP320N20N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB35N10S3L26ATMA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,15 $1,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS 3
Channel Type N-Channel N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Encapsulamento — TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Número de pinos — 3 (3 + Tab)
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes
Nível MSL — Not applicable (through-hole)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação