IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon und IPD80R280P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R040CFD7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,19 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Verlustleistung (TC=25°C) 227 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

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