IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon y IPD80R280P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB60R040CFD7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,19 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Disipación de potencia (TC=25°C) 227 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

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