IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon e IPD80R280P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,19 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | 227 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +150°C | — |
| Encapsulamento | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Nível MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +150C |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |