IPB60R280P7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R280P7ATMA1 von Infineon und IPB037N06N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R280P7ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $1,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +175 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
MSL-Level — 1 (unlimited)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern