IPB60R280P7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 비교
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Infineon
IPB037N06N3GATMA1 - 60V 90A 3.7mOhm OptiMOS 3 N-MOSFET D2PAK | Infineon
IPB037N06N3GATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IPB60R280P7ATMA1 | IPB037N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.88 | $1.41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (2 + Tab) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 C to +175 C (junction) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Part Number | — | IPB037N06N3GATMA1 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 3.7 mOhm at VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 188 W |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: gate charge value] |
| MSL 레벨 | — | 1 (unlimited) |
| Drain Tab Connection | — | Tab electrically tied to drain |