IPB60R280P7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R280P7ATMA1 par Infineon et IPB037N06N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R280P7ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $1,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +175 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
Boîtier / Format — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

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