IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB70N10S3L12ATMA1 von Infineon und BSC042NE7NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB70N10S3L12ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Transistortyp N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Halogenfrei Yes —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
Gehäuse — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant

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