IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB70N10S3L12ATMA1 par Infineon et BSC042NE7NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB70N10S3L12ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Sans halogène Yes —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Boîtier — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant

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