IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon e BSC042NE7NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPB70N10S3L12ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Livre de halogênio Yes —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Encapsulamento — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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