IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB70N10S3L12ATMA1 von Infineon und IPD90P04P405ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P405ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Transistortyp N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Halogenfrei Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (Tj)
Gehäuse — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status — Compliant

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