IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB70N10S3L12ATMA1 par Infineon et IPD90P04P405ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P405ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Sans halogène Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (Tj)
Boîtier — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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