IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon y IPD90P04P405ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P405ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado / Carcasa PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Sin halógenos Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (Tj)
Encapsulado — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización