IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPC100N04S5L1R1ATMA1 von Infineon und IPC50N04S5L5R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Transistortyp N-Channel Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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