IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPC100N04S5L1R1ATMA1 por Infineon y IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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