IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC100N04S5L1R1ATMA1 por Infineon e IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fichas técnicas e recursos

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