IPD042P03L3GATMA1 vs IRFR1018ETRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD042P03L3GATMA1 von Infineon und IRFR1018ETRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD042P03L3GATMA1 IRFR1018ETRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,28 $0,36
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) -70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -280 A —
RDS(on) max @ VGS = -10 V 4.2 mΩ —
RDS(on) max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 150 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 290 mJ —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (D-Pak)
Technology OptiMOS™ P (Trench) HEXFET
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

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