IPD042P03L3GATMA1 vs IRFR1018ETRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD042P03L3GATMA1 par Infineon et IRFR1018ETRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD042P03L3GATMA1 IRFR1018ETRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,28 $0,36
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) -70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -280 A —
RDS(on) max @ VGS = -10 V 4.2 mΩ —
RDS(on) max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 150 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 290 mJ —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (D-Pak)
Technology OptiMOS™ P (Trench) HEXFET
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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