IPD046N08N5ATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IPD046N08N5ATMA1 von Infineon und BSC0502NSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | IPD046N08N5ATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,78 | $0,85 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Transistortyp | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich | -55 °C to +175 °C | — |
| Gehäuse / Bauform | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| RoHS-Status | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL-Level | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55C to +150C |
| Gehäuse | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |