IPD046N08N5ATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD046N08N5ATMA1 par Infineon et BSC0502NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD046N08N5ATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,85 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |