IPD068N10N3GATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD068N10N3GATMA1 von Infineon und IPB024N10N5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD068N10N3GATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $1,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Halogenfrei — Yes (per Infineon product family policy)

Datenblätter & Ressourcen

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