IPD068N10N3GATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD068N10N3GATMA1 par Infineon et IPB024N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD068N10N3GATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $1,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Sans halogène — Yes (per Infineon product family policy)

Fiches techniques et ressources

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