IPD180N10N3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD180N10N3GATMA1 von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD180N10N3GATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD180N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel power MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 43 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) 71 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 18 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (Tj max 175°C) —
Configuration Single N-channel MOSFET Dual N-Channel (independent MOSFETs)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 (per Infineon package rating) —
Halogenfrei Yes (per Infineon OptiMOS 3 datasheet family) —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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