IPD180N10N3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD180N10N3GATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD180N10N3GATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD180N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel power MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 43 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) 71 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 18 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (Tj max 175°C) —
Configuration Single N-channel MOSFET Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 (per Infineon package rating) —
Livre de halogênio Yes (per Infineon OptiMOS 3 datasheet family) —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Fichas técnicas e recursos

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