IPD320N20N3GATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD320N20N3GATMA1 von Infineon und IAUC100N10S5N040ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD320N20N3GATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,34 $1,62
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 3 OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
MSL-Level — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection
RoHS-Status — Compliant

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