IPD320N20N3GATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD320N20N3GATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N10S5N040ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD320N20N3GATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.34 $1.62
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 3 OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C (junction)
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
MSLレベル — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼