IPD320N20N3GATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD320N20N3GATMA1 por Infineon e IAUC100N10S5N040ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD320N20N3GATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,34 $1,62
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS 3 OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
Nível MSL — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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