IPD33CN10NGATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD33CN10NGATMA1 von Infineon und IPD30N10S3L34ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD33CN10NGATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,38
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Transistortyp — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

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